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产品技术
隧穿氧化/多晶硅沉积
祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 系统
祝融系列ZR5000×2管式PECVD ToxPoly All-in-one 系统利用尊龙凯时纳米率先突破中试与GW级量产导入的PECVD 隧穿氧化层与原位掺杂多晶硅层镀膜技术以及know-how，解决了PE-TOPCon技术路线管式PECVD设备镀导电膜的设备瓶颈与低温poly容易爆膜的工艺瓶颈，实现了在同一根工艺管内连续完成超薄隧穿氧化层，非晶硅层，原位掺杂多晶硅层以及原位掩膜层的沉积，极大地简化了生产工艺，专为接触钝化 (TOPCon、XBC和HJT+TOPCon）等高效电池技术量身定制，为TOPCon电池技术产业化提供了可靠的量产解决方案以及新路线，助力了电池技术从PERC到TOPCon的迭代。
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产品特点
用于TOPCon, XBC, TOPCon+HJT等高效电池技术路线的应用
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All-in-one 镀膜技术，可在同一工艺管内连续完成超薄隧穿氧化层，非晶硅层，原位掺杂多晶硅层以及原位掩膜层的沉积，极大地简化了生产工艺
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优异的温度控制和等离子控制系统，搭配超高载片量的石墨舟设计，在确保设备产能的同时大幅提升电池转换效率
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精准制备 SiOx/Poly-Si(n+),Poly-Si(i),Poly-Si(p+),SiNx, SiONx, SiC, SiOx 等叠层膜，优异的薄膜厚度均匀性
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多晶硅原位掺杂浓度（1E20~1E21）可调
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针对新型PE-TOPCon电池技术核心的隧穿氧化层与多晶硅薄膜研发了可镀导电膜、原位掺杂与无爆膜的管式PECVD ToxPoly同管集成技术，研究成果被广泛转载并成功完成产业化，受到了行业的认可，市场占有率快速攀升
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